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IRF1902GTRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF1902GTRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16898 Pieces
- Scheda dati:
- IRF1902GTRPBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001561612 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF1902GTRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 310pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 4.2A (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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