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IRF2807ZLPBF
- Modello di prodotti:
- IRF2807ZLPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 75V 75A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15671 Pieces
- Scheda dati:
- IRF2807ZLPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF2807ZLPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF2807ZLPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.4 mOhm @ 53A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 170W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | *IRF2807ZLPBF SP001553914 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF2807ZLPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3270pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 75V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 75V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 75V 75A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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