IRF510S
IRF510S
Modello di prodotti:
IRF510S
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18082 Pieces
Scheda dati:
IRF510S.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:540 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.7W (Ta), 43W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:*IRF510S
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF510S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.6A (Tc)
Email:[email protected]

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