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IRF640S
- Modello di prodotti:
- IRF640S
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 16918 Pieces
- Scheda dati:
- IRF640S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF640S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF640S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF640S |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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