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IRF6629TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF6629TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17250 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6629TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6629TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6629TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MX |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 mOhm @ 29A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 100W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MX |
| Altri nomi: | IRF6629TRPBFTR SP001526802 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6629TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4260pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 25V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 29A (Ta), 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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