IRF6631TRPBF
IRF6631TRPBF
Modello di prodotti:
IRF6631TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15846 Pieces
Scheda dati:
IRF6631TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ SQ
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.8 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric SQ
Altri nomi:IRF6631TRPBFTR
SP001528816
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6631TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 13A (Ta), 57A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 57A (Tc)
Email:[email protected]

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