IRF6678TRPBF
IRF6678TRPBF
Modello di prodotti:
IRF6678TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17651 Pieces
Scheda dati:
IRF6678TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.25V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MX
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MX
Altri nomi:IRF6678TRPBFCT
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF6678TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5640pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

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