IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7101TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17891 Pieces
Scheda dati:
IRF7101TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 1.8A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRF7101PBFTR
SP001562024
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF7101TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:320pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.5A
Email:[email protected]

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