IRF7329PBF
IRF7329PBF
Modello di prodotti:
IRF7329PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13138 Pieces
Scheda dati:
IRF7329PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:900mV @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:62-0242PBF
62-0242PBF-ND
SP001559806
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7329PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3450pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:57nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione:MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.2A
Email:[email protected]

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