IRF7478PBF
IRF7478PBF
Modello di prodotti:
IRF7478PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14531 Pieces
Scheda dati:
IRF7478PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:26 mOhm @ 4.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:62-0226PBF
62-0226PBF-ND
SP001575090
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7478PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1740pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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