IRF7759L2TR1PBF
IRF7759L2TR1PBF
Modello di prodotti:
IRF7759L2TR1PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13269 Pieces
Scheda dati:
IRF7759L2TR1PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET L8
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 mOhm @ 96A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric L8
Altri nomi:IRF7759L2TR1PBFTR
SP001566426
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7759L2TR1PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12222pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 75V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione:MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 375A (Tc)
Email:[email protected]

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