IRF7799L2TRPBF
IRF7799L2TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7799L2TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13692 Pieces
Scheda dati:
IRF7799L2TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET L8
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:38 mOhm @ 21A, 10V
Dissipazione di potenza (max):4.3W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric L8
Altri nomi:IRF7799L2TRPBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7799L2TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6714pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:165nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:375A (Tc)
Email:[email protected]

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