IRF7807D2PBF
IRF7807D2PBF
Modello di prodotti:
IRF7807D2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17243 Pieces
Scheda dati:
IRF7807D2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:FETKY™
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SP001555606
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7807D2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione:N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.3A (Ta)
Email:[email protected]

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