IRF7854TRPBF
IRF7854TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7854TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17453 Pieces
Scheda dati:
IRF7854TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.9V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:13.4 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRF7854TRPBF-ND
IRF7854TRPBFTR
SP001563900
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF7854TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1620pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 80V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione:MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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