IRF7901D1TRPBF
IRF7901D1TRPBF
Modello di prodotti:
IRF7901D1TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18846 Pieces
Scheda dati:
IRF7901D1TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:FETKY™
Rds On (max) a Id, Vgs:38 mOhm @ 5A, 4.5V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRF7901D1PBFTR
IRF7901D1TRPBF-ND
IRF7901D1TRPBFTR-ND
Q2189627
SP001572258
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF7901D1TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:780pF @ 16V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A
Email:[email protected]

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