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IRF8113
- Modello di prodotti:
- IRF8113
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14312 Pieces
- Scheda dati:
- IRF8113.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF8113, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF8113 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | *IRF8113 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF8113 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2910pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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