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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRF820ASPBF
IRF820ASPBF
IRF820ASPBF
Modello di prodotti:
IRF820ASPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19231 Pieces
Scheda dati:
IRF820ASPBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:*IRF820ASPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF820ASPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 2.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D2PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
IRF820SPBF Image IRF820SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
IRF820ASTRL Image IRF820ASTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
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IRF820STRLPBF Image IRF820STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
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IRF820S Image IRF820S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
IRF820STRL Image IRF820STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
IRF820ASTRR Image IRF820ASTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
IRF820STRR Image IRF820STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK Inchiesta
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