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IRF8707GTRPBF
- Modello di prodotti:
- IRF8707GTRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19645 Pieces
- Scheda dati:
- IRF8707GTRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF8707GTRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF8707GTRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | IRF8707GTRPBFTR SP001566566 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF8707GTRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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