IRF8915TR
IRF8915TR
Modello di prodotti:
IRF8915TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14884 Pieces
Scheda dati:
IRF8915TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF8915TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:7.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.9A
Email:[email protected]

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