IRFBC20LPBF
IRFBC20LPBF
Modello di prodotti:
IRFBC20LPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19480 Pieces
Scheda dati:
IRFBC20LPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-262-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:*IRFBC20LPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFBC20LPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 2.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-262-3
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 2.2A TO-262
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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