Acquistare IRFH3707TRPBF con BYCHPS
Acquista con garanzia
IRFH3707TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFH3707TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12226 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH3707TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFH3707TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFH3707TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IRFH3707TRPBF-ND IRFH3707TRPBFTR SP001551876 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFH3707TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 755pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.1nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 29A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFH3707TRPBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL3502STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Inchiesta |
 |
RQ6E085BNTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET | Inchiesta |
|
IRF710S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK | Inchiesta |
 |
IRFH3707TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 | Inchiesta |
|
IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Inchiesta |
|
IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Inchiesta |
 |
AOB292L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 105A TO263 | Inchiesta |
 |
IPD06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | Inchiesta |
 |
IXTQ230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P | Inchiesta |
 |
CSD17559Q5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8SON | Inchiesta |
 |
APT58M50J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Inchiesta |
 |
IRLR2705TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK | Inchiesta |
 |
CPC3902ZTR | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 250V SOT-223 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers