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IRFH5110TRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFH5110TRPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12605 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH5110TRPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFH5110TRPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFH5110TRPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.4 mOhm @ 37A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | SP001560340 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRFH5110TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3152pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 11A (Ta), 63A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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