IRFH5220TRPBF
IRFH5220TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH5220TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19562 Pieces
Scheda dati:
IRFH5220TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:99.9 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-VQFN Exposed Pad
Altri nomi:SP001570846
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH5220TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1380pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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