IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH8202TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15399 Pieces
Scheda dati:
IRFH8202TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.05 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 160W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFH8202TRPBF-ND
IRFH8202TRPBFTR
SP001572718
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFH8202TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7174pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 47A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:47A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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