IRFHM4226TRPBF
IRFHM4226TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM4226TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16741 Pieces
Scheda dati:
IRFHM4226TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.1V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.7W (Ta), 39W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-TQFN Exposed Pad
Altri nomi:IRFHM4226TRPBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFHM4226TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 13V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 28A (Ta) 2.7W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N CH 25V 28A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Ta)
Email:[email protected]

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