Acquistare IRFI520N con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB Full-Pak |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 200 mOhm @ 4.3A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
Altri nomi: | *IRFI520N |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IRFI520N |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 100V 7.6A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak |
Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |