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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IRFI644GPBF
IRFI644GPBF
IRFI644GPBF
Modello di prodotti:
IRFI644GPBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17845 Pieces
Scheda dati:
IRFI644GPBF.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:280 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):40W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Altri nomi:*IRFI644GPBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFI644GPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 7.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.9A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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