IRFR1018EPBF
Modello di prodotti:
IRFR1018EPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12597 Pieces
Scheda dati:
IRFR1018EPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.4 mOhm @ 47A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:64-4127PBF
64-4127PBF-ND
SP001567496
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFR1018EPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:56A (Tc)
Email:[email protected]

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