Acquistare IRFR13N20DTRR con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IRFR13N20DTRR |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
Email: | [email protected] |