IRFR13N20DTRR
Modello di prodotti:
IRFR13N20DTRR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
19409 Pieces
Scheda dati:
IRFR13N20DTRR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:235 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFR13N20DTRR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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