IRFR3410PBF
Modello di prodotti:
IRFR3410PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17408 Pieces
Scheda dati:
IRFR3410PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:39 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 110W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:*IRFR3410PBF
64-4131PBF
64-4131PBF-ND
SP001555056
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFR3410PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1690pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Tc)
Email:[email protected]

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