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IRFSL31N20D
- Modello di prodotti:
- IRFSL31N20D
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 15943 Pieces
- Scheda dati:
- IRFSL31N20D.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFSL31N20D, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFSL31N20D via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | *IRFSL31N20D |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFSL31N20D |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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