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IRFU15N20DPBF
- Modello di prodotti:
- IRFU15N20DPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14335 Pieces
- Scheda dati:
- IRFU15N20DPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRFU15N20DPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRFU15N20DPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | IPAK (TO-251) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 165 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Altri nomi: | *IRFU15N20DPBF SP001576362 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFU15N20DPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 910pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 41nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 17A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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