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IRL520NS
- Modello di prodotti:
- IRL520NS
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 17898 Pieces
- Scheda dati:
- IRL520NS.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRL520NS, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRL520NS via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 48W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | *IRL520NS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRL520NS |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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