IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF
Modello di prodotti:
IRL6372TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18681 Pieces
Scheda dati:
IRL6372TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 10µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:IRL6372TRPBFTR
SP001569038
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:IRL6372TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8.1A
Email:[email protected]

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