IRL640PBF
IRL640PBF
Modello di prodotti:
IRL640PBF
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13411 Pieces
Scheda dati:
1.IRL640PBF.pdf2.IRL640PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:180 mOhm @ 10A, 5V
Dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRL640PBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
codice articolo del costruttore:IRL640PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

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