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IRL80HS120
- Modello di prodotti:
- IRL80HS120
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19442 Pieces
- Scheda dati:
- IRL80HS120.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRL80HS120, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRL80HS120 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-PQFN (2x2) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 32 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 11.5W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | IRL80HS120TR SP001592838 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRL80HS120 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 12.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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