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IRLBD59N04ETRLP
- Modello di prodotti:
- IRLBD59N04ETRLP
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14083 Pieces
- Scheda dati:
- IRLBD59N04ETRLP.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLBD59N04ETRLP, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLBD59N04ETRLP via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263-5 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 130W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLBD59N04ETRLP |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2190pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 59A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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