IRLHM620TRPBF
IRLHM620TRPBF
Modello di prodotti:
IRLHM620TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16707 Pieces
Scheda dati:
IRLHM620TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.1V @ 50µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.7W (Ta), 37W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRLHM620TRPBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IRLHM620TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3620pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:78nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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