IRLM210ATF
Modello di prodotti:
IRLM210ATF
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12432 Pieces
Scheda dati:
1.IRLM210ATF.pdf2.IRLM210ATF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223-4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 390mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):1.8W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRLM210ATF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:240pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 770mA (Ta) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 770MA SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:770mA (Ta)
Email:[email protected]

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