IRLMS2002TR
Modello di prodotti:
IRLMS2002TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
13166 Pieces
Scheda dati:
IRLMS2002TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Micro6™(SOT23-6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-23-6
Altri nomi:*IRLMS2002TR
IRLMS2002CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRLMS2002TR
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1310pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.5A (Ta)
Email:[email protected]

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