IRLR3636TRPBF
Modello di prodotti:
IRLR3636TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18968 Pieces
Scheda dati:
IRLR3636TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 100µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:6.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):143W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IRLR3636TRPBFTR
SP001574002
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:19 Weeks
codice articolo del costruttore:IRLR3636TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3779pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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