Acquistare IRLR8503 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 16 mOhm @ 15A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 62W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | *IRLR8503 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | IRLR8503 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1650pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 30V 44A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
Email: | [email protected] |