ISL9N302AS3
Modello di prodotti:
ISL9N302AS3
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19359 Pieces
Scheda dati:
ISL9N302AS3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-262AA
Serie:UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.3 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):345W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:ISL9N302AS3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-262AA
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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