IXDI602SI
Modello di prodotti:
IXDI602SI
fabbricante:
IXYS Integrated Circuits Division
Descrizione:
2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15495 Pieces
Scheda dati:
IXDI602SI.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:4.5 V ~ 35 V
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC-EP
Serie:-
Tempo di salita / scadenza (Typ):7.5ns, 6.5ns
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso:2
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:IXDI602SI
Tensione logica - VIL, VIH:0.8V, 3V
Tipo di ingresso:Inverting
Tipo di porta:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Descrizione espansione:Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP
Configurazione guidata:Low-Side
Descrizione:2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore):2A, 2A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max):Independent
Email:[email protected]

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