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IXDN602SI
- Modello di prodotti:
- IXDN602SI
- fabbricante:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14248 Pieces
- Scheda dati:
- IXDN602SI.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXDN602SI, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXDN602SI via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC-EP |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 7.5ns, 6.5ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Altri nomi: | CLA352 IXDN602SI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXDN602SI |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tipo di porta: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Descrizione espansione: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP |
| Configurazione guidata: | Low-Side |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 2A, 2A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
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