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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
Modello di prodotti:
IXFA22N65X2
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15670 Pieces
Scheda dati:
IXFA22N65X2.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:160 mOhm @ 11A, 10V
Dissipazione di potenza (max):390W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFA22N65X2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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