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IXFB50N80Q2
- Modello di prodotti:
- IXFB50N80Q2
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19987 Pieces
- Scheda dati:
- IXFB50N80Q2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS264™ |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 160 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1135W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFB50N80Q2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 7200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 50A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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