IXFC110N10P
Modello di prodotti:
IXFC110N10P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12540 Pieces
Scheda dati:
IXFC110N10P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOPLUS220™
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:17 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max):120W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:ISOPLUS220™
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXFC110N10P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3550pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:110nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 60A (Tc) 120W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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