Acquistare IXFH17N80Q con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXFH17N80Q
- Modello di prodotti:
- IXFH17N80Q
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17230 Pieces
- Scheda dati:
- IXFH17N80Q.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFH17N80Q, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFH17N80Q via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247AD (IXFH) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 600 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 400W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFH17N80Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 17A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFH17N80Q
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH10N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH10N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH160N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH160N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | Inchiesta |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | Inchiesta |
|
IXFH10N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD | Inchiesta |
|
IXFH15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | Inchiesta |
|
IXFH12N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers