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IXFK32N100Q3
- Modello di prodotti:
- IXFK32N100Q3
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14699 Pieces
- Scheda dati:
- IXFK32N100Q3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264AA (IXFK) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 320 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1250W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IXFK32N100Q3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9940pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 195nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1000V (1kV) 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFK32N100Q3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | Inchiesta |
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IXFK30N100Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264 | Inchiesta |
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IXFK32N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 | Inchiesta |
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IXFK360N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 | Inchiesta |
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IXFK32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | Inchiesta |
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IXFK32N60 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 32A TO-264AA | Inchiesta |
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